Because HTRB tests stress the die,

Because HTRB tests stress the die, they can lead to junction leakage. There can also be parametric changes resulting from the release of ionic impurities onto the die surface, from either the package or the die itself. This test’s high temperature accelerates failure mechanisms according to Arrhenius equation, which states the temperature dependence of reaction rates. Therefore, this simulates a test conducted for a much longer period at a lower temperature. The leakage current is continuously monitored throughout the HTRB test and a fairly constant leakage current is generally required to pass it. Because it combines electrical and thermal stress, this test can be used to check the junction integrity, crystal defects and ionic-contamination level, which can reveal weaknesses or degradation effects in the field depletion structures at the device edges and in the passivation.

결과 (한국어) 1:

HTRB 테스트 다, 스트레스 때문에 접합 누설 될 수 있습니다. 또한 패키지 또는 자체 다이 다이 표면에 이온 불순물의 방출에서 유래한 파라메트릭 변경 될 수 있습니다. 이 시험의 높은 온도 반응 속도의 온도 의존성에 따르면 Arrhenius 방정식에 따라 실패 메커니즘을 가속 한다. 따라서,이 훨씬 더 긴 기간 동안 낮은 온도에서 실시 하는 테스트를 시뮬레이션 합니다. 누설 전류 모니터링 지속적으로 HTRB 테스트와는 상당히 일정 한 누설 전류는 일반적으로 하는 데 필요한 그것을 통과. 전기적이 고 열 스트레스, 결합 하기 때문에 접합 무결성, 크리스탈 결점 및 약점 또는 장치 가장자리에서 필드 고갈 구조에서 저하 효과 패 시 베이 션에 밝힐 수 있다 이오니아 오염 수준을 확인 하려면이 테스트를 사용할 수 있습니다.

결과 (한국어) 2:

HTRB 시험은 다이를 강조하기 때문에, 접합 누설을 초래할 수있다. 또한 패키지 또는 다이 자체 하나에서, 다이 표면 상에 이온 성 불순물의 방출로 인한 파라미터 변경이있을 수있다. 이 테스트의 높은 온도는 반응 속도의 온도 의존성을 명시 레니 우스 식에 따른 고장 메커니즘을 가속. 따라서, 이것은 낮은 온도에서 훨씬 더 긴 기간 동안 수행 테스트를 시뮬레이션한다. 누설 전류가 연속적 HTRB 시험 내내 모니터링되고 매우 일정한 리크 전류는 일반적으로 전달할 필요가있다. 이 전기 및 열 응력을 결합하기 때문에,이 테스트 장치 가장자리 및 패시베이션 필드 공핍 구조의 취약점이나 열화 효과를 밝힐 수 접합부의 무결성 결정 결함 및 이온 오염 수준을 확인하는데 사용될 수있다.

결과 (한국어) 3:

HTRB 테스트 응력 형 때문에 정말 때문에 결혼 새다.있다 해도 결국 은 나노 불순물이 석방하다 금형 표면의 인자 다 변화, 그 는 포장 또는 금형 자체가.이 테스트 고온 가속 고장 메커니즘 따라 阿伦尼乌斯 방정식 즉 반응이 속도 온도 의존성.따라서이 아날로그 하나 더 시기, 한 낮은 온도 테스트.누설 전류 진행 연속 모니터링 전체 HTRB 테스트 및 한 상당히 고정 의 전류 통해 일반 필요한 것이다.왜냐하면 그것은 결합 전기 응력 및 열응력 이런 테스트 데 쓸 수 있는 연결 무결성 검사, 크리스털 결함 및 이온 오염 수준이 수 있어 소비 구조 약점을 보여주다 영역 혹은 분해하다 영향 은 장치 가장자리 와 있다.