Along with the drain-source voltage (VDS) ramp test, the High Temperature Reverse Bias (HTRB) test is one of the most common reliability tests for power devices. In a VDS ramp test, as the drain-source voltage is stepped from a low voltage to a voltage that’s higher than the rated maximum drain-source voltage, specified device parameters are evaluated. This test is useful for tuning the design and process conditions, as well as verifying that devices deliver the performance specified on their data sheets. For example, Dynamic RDS(ON), monitored using a VDS ramp test, provides a measurement of how much a device’s ON-resistance increases after being subjected to a drain bias. A VDS ramp test offers a quick form of parametric verification; in contrast, an HTRB test evaluates long-term stability under high drain-source bias. HTRB tests are intended to accelerate failure mechanisms that are thermally activated through the use of biased operating conditions. During an HTRB test, the device samples are stressed ator slightly less than the maximum rated reverse breakdown voltage (usually 80 or 100% of VRRM) at an ambient temperature close to their maximum rated junction temperature (TJMAX) over an extended period (usually 1,000 hours).
드레인 - 소스 전압 (VDS) 램프 시험과 함께, 고온 바이어스 (HTRB) 테스트는 전원 장치에 대한 가장 일반적인 신뢰성 테스트 중 하나 인 역방향. 드레인 - 소스 전압이 정격 최대 드레인 - 소스 전압보다 높은 전압의 저전압에서 단차대로 VDS 램프 시험에서, 지정 디바이스 파라미터들이 평가된다. 이 테스트는 설계 및 공정 조건을 조정뿐만 아니라, 디바이스는 자신의 데이터 시트에서 지정된 성능을 제공하는 것으로 확인하는데 유용하다. 예를 들어, 동적 RDS (ON)이, VDS 램프를 사용하여 모니터 시험 후의 디바이스의 ON 저항이 증가 드레인 바이어스 실시한 정도의 측정을 제공한다. VDS 램프 시험은 파라 메트릭 검증의 빠른 양식을 제공하고, 대조적으로, HTRB 시험 높은 드레인 - 소스 바이어스 전압에서 장기간 안정성을 평가한다. HTRB 시험은 열 바이어스 동작 조건의 사용을 통하여 활성화 불량 메커니즘을 가속화하기위한 것이다. HTRB 시험 중에 장치 샘플은 최대 정격 역방향 항복 전압보다 약간 낮은 ATOR 스트레스 (일반적으로 80 또는 VRRM 100 %) 연장 된 기간 (일반적으로 1000 이상 최대 정격 접합 온도 (TJMAX)에 가까운 주위 온도에서 시간).
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